沖擊電壓發(fā)生器成套裝置使用條件

海拔高度：不超過(guò)1000米

環(huán)境溫度：-25℃—+40℃

相對(duì)濕度：不大于85%

zui大日溫差：25℃

使用環(huán)境：戶內(nèi)

無(wú)導(dǎo)電塵埃

無(wú)火災(zāi)及爆炸危險(xiǎn)

無(wú)腐蝕金屬和絕緣的氣體

電源電壓的波形為正弦波，波形畸變率<5%

接地電阻不大于0.5Ω

對(duì)周圍安全距離不小于2米                  

遵循標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 311.1-1997 高壓輸變電設(shè)備的絕緣與配合

GB/T 16927.1 高電壓試驗(yàn)技術(shù)    *部分    一般試驗(yàn)要求

GB/T 16927.2 高電壓試驗(yàn)技術(shù)    第二部分    測(cè)量系統(tǒng)

GB/T 16896.1 高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀

ZBF  24001    沖擊電壓試驗(yàn)實(shí)施細(xì)則

JB/T 7616 高壓線路絕緣子陡波沖擊耐受試驗(yàn)

DL/T 557 高電壓線路絕緣子陡波沖擊試驗(yàn)、定義、試驗(yàn)方法和判據(jù)

GB 1000.1-1988       高壓線路針式瓷絕緣子 技術(shù)條件

GB/T 775.2-2003      絕緣子試驗(yàn)方法 第2部分: 電氣試驗(yàn)方法

GB/T 2900.8-1995     電工術(shù)語(yǔ) 絕緣子

GB/T 7253-2005        標(biāo)稱電壓高于1000V的架空線路絕緣子 交流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子件 盤(pán)形懸式絕緣子件的特性

GB 1001-1986         盤(pán)形懸式絕緣子技術(shù)條件

GB/T 20642-2006      高壓線路絕緣子空氣中沖擊擊穿試驗(yàn)

沖擊電壓發(fā)生器成套裝置額定參數(shù)值

標(biāo)稱電壓：±900kV

級(jí)電壓：±150kV

額定能量：21.9kJ

每級(jí)主電容： 0.325μF  150kV(單臺(tái)脈沖電容器0.65μF/75kV)

沖擊總電容：0.05417μF

總級(jí)數(shù)：6級(jí)

負(fù)荷電容：300-2000PF以下能產(chǎn)生以下幾種波形

1、標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波，±1.2/50μs電壓利用系數(shù)＞90%(空載)；波頭時(shí)間1.2±30%微秒，波尾時(shí)間50±20%微秒。

2、1000～1500V/nS合成絕緣子陡波沖擊電壓，zui大幅值600kV。

3、盤(pán)形懸式絕緣子    2.8p.u.

4、針式絕緣子        2.0p.u.

5、柱式絕緣子        2.3p.u.

這幾種沖擊電壓波形參數(shù)及其偏差均符合有關(guān)國(guó)家GB311及GB16927標(biāo)準(zhǔn)的要求。

主要部件

• 充電部分

• 采用恒流充電裝置

• 采用絕緣筒油浸式充電變壓器，原邊電壓220V，副邊電壓80kV，額定容量5kVA，變壓器密封良好，無(wú)滲漏油；

• 采用2DL-200kV/100mA的高壓整流硅堆；

• 充電極性由電機(jī)驅(qū)動(dòng)自動(dòng)轉(zhuǎn)換；

• 高壓整流硅堆保護(hù)電阻采用漆包電阻絲有感密繞在絕緣管上；      

• 沖擊發(fā)生器本體

• 采用不對(duì)稱倍壓充電方式，額定輸出電壓±150kV；

• 恒流充電裝置在20%～100%額定充電電壓范圍內(nèi)

• 實(shí)際充電電壓與整定電壓偏差不大于±1%，充電電壓的不穩(wěn)定性不大于±1%，充電電壓的可調(diào)精度為1%；

• 直流電阻分壓器采用150kV，300MΩ油浸式金屬膜電阻，低壓臂電阻裝在分壓器底法蘭內(nèi)，低壓臂上的電壓信號(hào)用屏蔽電纜引入控制臺(tái)內(nèi)。

• 自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)采用電磁鐵分合接地機(jī)構(gòu)，試驗(yàn)停止時(shí)可自動(dòng)將主電容器經(jīng)保護(hù)電阻接地。

• 恒流充電的電感、電容裝在控制臺(tái)內(nèi)，充電變壓器、高壓整流硅堆、保護(hù)電阻、自動(dòng)換極性裝置、自動(dòng)接地開(kāi)關(guān)和絕緣支柱等安裝在一移動(dòng)式底盤(pán)上。